台积电(TSM.US)涨超1.7%,报184.3美元。消息面上,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs晶体管技术。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。据悉,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间。
台积电(TSM.US)涨超1.7%,报184.3美元。消息面上,台积电在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs晶体管技术。相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。据悉,台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元,高于之前预期的2.5万美元。相比之下,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,而4/5nm晶圆的价格在1.5到1.6万美元之间。