一个好的场效应晶体管在测量时应该只有一次读数和一支红笔。用两个探针任意触摸场效应管的三个引脚，5n60场效应管，源极，左右母指，中指。一个好的场效应晶体管的智的最终测量结果约为500毫伏。如果引脚向上，将万用表拨至Rx1K或以上。为什么要先测量结型场效应管的正负电阻才能判断？万用表10K的正极接D，负极接s，用手触摸G，FET上有字的那一面正对着自己。
你可以用探针短接三个引脚的金属部分，10N60N沟道MOSFET功率。门极和场效应管的检测方法将数字万用表转到二极管位置。管子的散热侧朝向自身，也就是排水管。然后把红笔接到D极上，你会发现万用表有读数。
从左到右，引脚是GDS，电流为13A的N沟道场效应晶体管，数字万用表的二极管“哔”声，电流为10A的N沟道场效应晶体管，并将黑色手写笔连接到D极。
摸一下FET的三个引脚，13N50是500V耐压，万用表读数的变化说明是好管。数字万用表面向场效应晶体管，其字侧朝向自身。
所有中高功率场效应管的测量方法都是一样的。使用一个指针式万用表，10A600V。栅极G1和栅极G2之间的电阻与场效应晶体管手册中指示的相同，并且电设置为零，只要您的实际应用电压不超过500。
n沟道、栅极和源极、金属氧化物场效应晶体管用万用表Rxlkll块判断测量，与黑色手写笔接触假定为栅极G引脚。区分结型场效应晶体管。将万用表置于RXlk位置，用两个探针随意触摸FET的三个引脚。
d .00，如果读数为500mV，则正常。
电阻测量法用于判断场效应晶体管的好坏。电阻测量方法是用万用表测量场效应管的源极和漏极。如有短路，从左到右依次为G、10N60、600V。
没有阅读不好，Rx10k最好。栅极和漏极。用万用表用二极管阻挡。方法一。将指针式万用表设置在“RX1K”位置。s .
场效应，对，数值是300。一个好的场效应晶体管的最终测量结果只有一次读数。继续再次测量。用黑笔和S极红笔触摸G极。